IPI65R660CFDXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 6A TO262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 63W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660m Ω @ 2.1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.66Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 17A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 62.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Avalanche Energy Rating (Eas) 115 mJ
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