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IPN70R360P7SATMA1
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IPN70R360P7SATMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-261-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 7.2W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
Vgs (Max) | ±16V |
DS Breakdown Voltage-Min | 700V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360m Ω @ 3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.36Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPN70R360P7SATMA1 Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "IPN70" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPN70'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPN70R1K0CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2577 |
IPN70R1K2P7SATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2755 |
IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPN70R1K4P7SATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 0 |
IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPN70R1K5CE | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 3102 |
IPN70R1K5CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2760 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2732 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPN70R2K1CEATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2659 |
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IPN70R360P7SATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPN70R360P7SATMA1 Referenzpreis. IPN70R360P7SATMA1 Parameter, IPN70R360P7SATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPN70R360P7SATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPN70R360P7SATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPN70R360P7SATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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