IPP47N10SL26AKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 33A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.04Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SIPMOS®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 175W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 47A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 188A
Avalanche Energy Rating (Eas) 400 mJ
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPP47N10S-33 I Spezialisierte heiße ICs 10401
IPP47N10S-33 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 511
IPP47N10S33AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2684
IPP47N10SL-26 I Spezialisierte heiße ICs 5020
IPP47N10SL26AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2702

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