IPP60R165CPXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 192W Tc
Power Dissipation 192W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 790μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 522 mJ
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 21A
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165m Ω @ 12A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 21A
Max Dual Supply Voltage 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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