IPP60R180C7XKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Packaging Tube
Series CoolMOS™ C7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Channels 1
Power Dissipation 68W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Rds On Max 180 mΩ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 68W Tc
Turn On Delay Time 9.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 13A
Max Dual Supply Voltage 600V
Input Capacitance 1.08nF
Drain to Source Resistance 155mOhm
Height 20.7mm
Lead Free Lead Free
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