IPP60R600P6XKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A Tc
Rise Time 7ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.3A
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Resistance 540mOhm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package PG-TO220-3
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Power Dissipation-Max 63W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 200μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 557pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 557pF
Rds On Max 600 mΩ
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