IPP65R074C6XKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 480.8W Tc
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.4mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 57.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.074Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 151A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74m Ω @ 13.9A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57.7A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 56 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain to Source Breakdown Voltage 700V
Avalanche Energy Rating (Eas) 915 mJ
Lead Free Lead Free
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