IPP80N06S207AKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Power Dissipation-Max 250W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 180μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Turn On Delay Time 18 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6m Ω @ 68A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 31 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
Max Dual Supply Voltage 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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