IPW60R037P7XKSA1 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ P7
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 255W Tc
Power Dissipation 255W
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.48mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 76A
Drain-source On Resistance-Max 0.037Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37m Ω @ 29.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5243pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 295 mJ
Height 25.4mm
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