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IPW60R040C7XKSA1
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IPW60R040C7XKSA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ C7 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 227W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 211A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40m Ω @ 24.9A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.04Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 249 mJ |
Lead Free | Lead Free |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
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