IPW60R041C6FKSA1 Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 481W Tc
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41m Ω @ 44.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6530pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain-source On Resistance-Max 0.041Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77.5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 272A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1954 mJ
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