IPW60R125CPFKSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 25A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 208W Tc
Power Dissipation 208W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 82A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 25A
Max Dual Supply Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 708 mJ
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