IPW60R160C6FKSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 750μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 23.8A
Max Dual Supply Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 497 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 176W Tc
Power Dissipation 176W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160m Ω @ 11.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 70A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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