IPW60R280C6FKSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 104W Tc
Power Dissipation 104W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 13.8A
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A Tc
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 284 mJ
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