IPW65R048CFDAFKSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 500W Tc
Power Dissipation 500W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48m Ω @ 29.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4 ns
Continuous Drain Current (ID) 63.3A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 228A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.9mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63.3A Tc
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.048Ohm
Radiation Hardening No
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