IPW65R110CFDFKSA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 277.8W Tc
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.2A Tc
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 99.6A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 12.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 31.2A
Max Dual Supply Voltage 650V
Avalanche Energy Rating (Eas) 845 mJ
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