IPW65R190CFDAFKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 700μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 53.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.19Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 484 mJ
Length 16.03mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 151W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 7.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 17.5A
Max Dual Supply Voltage 650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 57.2A
Height 21.1mm
Width 5.16mm
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