IRF135SA204 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 135V 160A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9m Ω @ 96A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11690pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 315nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 160A
Drain-source On Resistance-Max 0.0059Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 135V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) Variant
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 500W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 135V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-263CB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 608A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1280 mJ
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