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IRF1405ZLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 75A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Resistance 4.9MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation 230W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A Tc
Rise Time 110ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Rated DC 55V
Current Rating 75A
Power Dissipation-Max 230W Tc
Turn On Delay Time 18 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 82 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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