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IRF2907ZS-7PPBF
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IRF2907ZS-7PPBF Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A Tc |
Rise Time | 90ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 92 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 160A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.3378mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 4.5MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 75V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 160A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8m Ω @ 110A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7580pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 44 ns |
Reverse Recovery Time | 35 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Recovery Time | 53 ns |
Height | 4.5466mm |
Width | 10.05mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRF2907ZS-7PPBF Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRF29" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF29'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF2903Z | IR | Spezialisierte heiße ICs | 973 |
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IRF2903ZPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRF2903ZS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 4137 |
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IRF2903ZSPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
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IRF2907ZS-7PPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF2907ZS-7PPBF Referenzpreis. IRF2907ZS-7PPBF Parameter, IRF2907ZS-7PPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF2907ZS-7PPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF2907ZS-7PPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF2907ZS-7PPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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