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IRF2907ZSTRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 97 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Avalanche Energy Rating (Eas) 690 mJ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 4.5MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 680A
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF2903Z IR Spezialisierte heiße ICs 973
IRF2903ZLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2784
IRF2903ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5787
IRF2903ZPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF2903ZS IR Spezialisierte heiße ICs 4137
IRF2903ZS MOS IR Spezialisierte heiße ICs 4218
IRF2903ZSPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1394
IRF2903ZSPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF2903ZSPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 11739
IRF2903ZSTRLP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2613

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