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IRF3315PBF Technische Spezifikationen
IRF3315PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 82mOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | 150V |
Current Rating | 27A |
Power Dissipation-Max | 94W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 12A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 38 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 27A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Dual Supply Voltage | 150V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.54mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 136W |
Turn On Delay Time | 9.6 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A Tc |
Rise Time | 32ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 49 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 84A |
Recovery Time | 260 ns |
Height | 8.77mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRF3315PBF Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRF33" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF33'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF3300 | QUALOMM | Spezialisierte heiße ICs | 704 |
IRF3303TR | IR | Spezialisierte heiße ICs | 552 |
IRF3305 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 30055 |
IRF3305PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 10377 |
IRF3314STRL | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2776 |
IRF3314STRL | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2602 |
IRF3314STRR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2550 |
IRF3315 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 22527 |
IRF3315L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2562 |
IRF3315LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2741 |
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IRF3315PBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF3315PBF Referenzpreis. IRF3315PBF Parameter, IRF3315PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF3315PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF3315PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF3315PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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