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IRF3415PBF Technische Spezifikationen
IRF3415PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 42MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 150V |
Current Rating | 43A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 200W Tc |
Current | 43A |
Power Dissipation | 200W |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A Tc |
Rise Time | 55ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 71 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 150V |
Recovery Time | 390 ns |
Height | 15.24mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Lead Pitch | 2.54mm |
Voltage | 150V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42m Ω @ 22A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 69 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 43A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 590 mJ |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.5156mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF3415PBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRF3415PBF
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRF34" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF34'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF340 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2406 |
IRF3410 | I | Spezialisierte heiße ICs | 10541 |
IRF3410 MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 10408 |
IRF3415 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2493 |
IRF3415L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2753 |
IRF3415LPBF | IR | Spezialisierte heiße ICs | 4665 |
IRF3415PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2274 |
IRF3415S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 36785 |
IRF3415S MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 6614 |
IRF3415SPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5428 |
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IRF3415PBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF3415PBF Referenzpreis. IRF3415PBF Parameter, IRF3415PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF3415PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF3415PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF3415PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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