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IRF3708PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2000
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 87W
Turn On Delay Time 7.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A Tc
Rise Time 50ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 17.6 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 248A
Recovery Time 65 ns
Height 8.763mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 12MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Current Rating 62A
Power Dissipation-Max 87W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2417pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.8V 10V
Fall Time (Typ) 3.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 62A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 2 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF3703 IR Spezialisierte heiße ICs 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6156
IRF3704 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1521
IRF3704PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 30
IRF3704S IR/VISHAY Spezialisierte heiße ICs 596

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