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IRF3710STRRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 28A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 57A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180A
Avalanche Energy Rating (Eas) 280 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 200W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.023Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF3703 IR Spezialisierte heiße ICs 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6156
IRF3704 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1521
IRF3704PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 30
IRF3704S IR/VISHAY Spezialisierte heiße ICs 596

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