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IRF3710ZSTRLPBF Technische Spezifikationen

IRF3710ZSTRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 18MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 59A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 160W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A Tc
Rise Time 77ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 59A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 5.084mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 160W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 56 ns
Reverse Recovery Time 50 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 75 ns
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF3703 IR Spezialisierte heiße ICs 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6156
IRF3704 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2680
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IRF3704PBF. IR Spezialisierte heiße ICs 30
IRF3704S IR/VISHAY Spezialisierte heiße ICs 596

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