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IRF40DM229 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case DirectFET™ Isometric MF
Packaging Tape & Reel (TR)
Series StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 159A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 83W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.85m Ω @ 97A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5317pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF4000TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3642
IRF4000TRPBF IR Spezialisierte heiße ICs 5993
IRF4000TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 5993
IRF40B207 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2741
IRF40B207 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF40DM229 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2591
IRF40H210 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23256
IRF40H210 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF40H210TRPBF IR Spezialisierte heiße ICs 17917
IRF40H233 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 9311

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