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IRF4905PBF Technische Spezifikationen

IRF4905PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -74A
Lead Pitch 2.54mm
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 74A Tc
Rise Time 99ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 96 ns
Continuous Drain Current (ID) -74A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 64A
Drain to Source Breakdown Voltage -55V
Dual Supply Voltage -55V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 19.8mm
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC -55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 200W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Threshold Voltage -4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.02Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Recovery Time 130 ns
Nominal Vgs -4 V
Length 10.5156mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF4905 IR Spezialisierte heiße ICs 1246
IRF4905 MOSFETIGBTIC IR Spezialisierte heiße ICs 22258
irf4905/IRF4905S IR/VISHAY Spezialisierte heiße ICs 30408
IRF4905L IR Spezialisierte heiße ICs 2313
IRF4905LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5443
IRF4905LPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF4905LPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 1850
IRF4905NSTRLPBF IR Spezialisierte heiße ICs 2528
IRF4905PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2475
IRF4905PBF IC IR Spezialisierte heiße ICs 398

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