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IRF5305STRLPBF
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IRF5305STRLPBF Technische Spezifikationen
IRF5305STRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 60mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 16A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 39 ns |
Threshold Voltage | -4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | -55V |
Recovery Time | 110 ns |
Nominal Vgs | -4 V |
Length | 10.668mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | -55V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -31A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A Tc |
Rise Time | 66ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 63 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -31A |
JEDEC-95 Code | TO-252 |
Drain to Source Breakdown Voltage | -55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 280 mJ |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 5.084mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRF5305STRLPBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRF5305STRLPBF
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRF53" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF53'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF530 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 90290 |
IRF530 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2347 |
IRF530 | STMicroelectronics | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 90384 |
IRF530 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRF5305 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 10354 |
IRF5305L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 6330 |
IRF5305LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3316 |
IRF5305LPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2716 |
IRF5305P | IRF | Spezialisierte heiße ICs | 31 |
IRF5305PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 471 |
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IRF5305STRLPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF5305STRLPBF Referenzpreis. IRF5305STRLPBF Parameter, IRF5305STRLPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF5305STRLPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF5305STRLPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF5305STRLPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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