IRF5852TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package 6-TSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 960mW
Number of Elements 2
Power Dissipation 960mW
Power - Max 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Threshold Voltage 1.25V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Input Capacitance 400pF
Drain to Source Resistance 90mOhm
Nominal Vgs 1.25 V
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF5852PBF
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 6.6 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Rise Time 1.2ns
Fall Time (Typ) 2.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Dual Supply Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 90 mΩ
Height 900μm
Width 1.5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF5800 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2763
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