IRF630NSPBF Technische Spezifikationen

IRF630NSPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 9.3A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 82W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300m Ω @ 5.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 94 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Resistance 300mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 82W
Turn On Delay Time 7.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Recovery Time 176 ns
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF630 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1376
IRF630 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 533
IRF630. IR Spezialisierte heiße ICs 749
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