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IRF6620TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7m Ω @ 27A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4130pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
Drain-source On Resistance-Max 0.0027Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 220A
Nominal Vgs 2.45 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 27A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A Ta 150A Tc
Rise Time 80ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 39 mJ
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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IRF6620TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF6620TRPBF Referenzpreis. IRF6620TRPBF Parameter, IRF6620TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF6620TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF6620TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF6620TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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