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IRF6623TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1360pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 55mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 43 mJ
Height 506μm
Width 3.95mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric ST
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 5.7MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 16A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.4W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta 55A Tc
Rise Time 40ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage 2.2V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Nominal Vgs 2.2 V
Length 4.826mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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IRF6623TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF6623TRPBF Referenzpreis. IRF6623TRPBF Parameter, IRF6623TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF6623TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF6623TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF6623TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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