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IRF6644TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 10.3A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13m Ω @ 10.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 228A
Nominal Vgs 4.8 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A Ta 60A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage 4.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 86 mJ
Height 508μm
Width 5.0546mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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IRF6644TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF6644TRPBF Referenzpreis. IRF6644TRPBF Parameter, IRF6644TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF6644TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF6644TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF6644TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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