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IRF6646TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 12A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta 68A Tc
Rise Time 20ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 4.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 68A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Voltage - Rated DC 80V
Terminal Position BOTTOM
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 12mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 80V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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IRF6646TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF6646TRPBF Referenzpreis. IRF6646TRPBF Parameter, IRF6646TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF6646TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF6646TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF6646TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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