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IRF6678 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Current Rating 30A
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 2.8W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5640pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8.1 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain-source On Resistance-Max 0.0022Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position BOTTOM
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta 150A Tc
Rise Time 71ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 210 mJ
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1591
IRF6603TR IOR Spezialisierte heiße ICs 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2697
IRF6603TRPBF IRF Spezialisierte heiße ICs 17939
IRF6604 IRF Spezialisierte heiße ICs 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION Spezialisierte heiße ICs 1409
IRF6604TR1 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 976

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