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IRF6711STRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 4
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 7.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Ta 84A Tc
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0038Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 62 mJ
Length 4.826mm
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N4
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8m Ω @ 19A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 19A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 84A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 506μm
Width 3.95mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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