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IRF6714MTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1m Ω @ 29A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3890pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 9.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 29mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 29A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 234A
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2.1MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 89W Tc
Power Dissipation 89W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Ta 166A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 506μm
Width 5.05mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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