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IRF6721STRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 7.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 60A Tc
Rise Time 8.9ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 506μm
Width 3.95mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain-source On Resistance-Max 0.0073Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 62 mJ
Length 4.826mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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