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IRF6785MTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 57W Tc
Power Dissipation 57W
Turn On Delay Time 6.2 ns
Transistor Application AMPLIFIER
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A Ta 19A Tc
Rise Time 8.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.1Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
Height 506μm
Width 5.05mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MZ
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 19A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Avalanche Energy Rating (Eas) 33 mJ
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
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