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IRF6795MTR1PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8m Ω @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4280pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 32A
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Recovery Time 41 ns
Height 506μm
Width 5.05mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 1.8MOhm
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Position BOTTOM
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 75W Tc
Power Dissipation 2.8W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A Ta 160A Tc
Rise Time 27ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 25V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 6.35mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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