IRF7301TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 50mOhm
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7301PBF
Row Spacing 6.3 mm
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 51 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 5.2A
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 2.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 15V
Rise Time 42ns
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 700mV
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Recovery Time 44 ns
Nominal Vgs 700 mV
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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