IRF7303TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 4.9A
Base Part Number IRF7303PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Rise Time 21ns
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 71 ns
Nominal Vgs 1 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 50mOhm
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 2W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Fall Time (Typ) 7.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Standard
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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