IRF7304TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number IRF7304PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A
Rise Time 26ns
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) -4.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Recovery Time 84 ns
Nominal Vgs -700 mV
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 90mOhm
Power Rating 2W
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -4.3A
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.4 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage -700mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3.6A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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