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IRF7321D2TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A Ta
Rise Time 13ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.7A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series FETKY™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 62mOhm
Voltage - Rated DC -30V
Current Rating -4.7A
Power Dissipation-Max 2W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62m Ω @ 4.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IRF730 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9119
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IRF730 IC IR Spezialisierte heiße ICs 716
IRF7301 IR Spezialisierte heiße ICs 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5483
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IRF7301TR IC IR Spezialisierte heiße ICs 898

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