IRF7389PBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Base Part Number IRF7389PBF
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF730 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF730 IC IR Spezialisierte heiße ICs 716
IRF7301 IR Spezialisierte heiße ICs 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies MOSFETs Transistor Arrays
IRF7301TR IR Spezialisierte heiße ICs 3787
IRF7301TR IC IR Spezialisierte heiße ICs 898

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