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IRF7410GTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7m Ω @ 16A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8676pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 271 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta
Rise Time 18ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 300 ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
Drain-source On Resistance-Max 0.007Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 65A
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
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IRF740 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3224
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