IRF7425PBF Technische Spezifikationen

IRF7425PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 15A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2m Ω @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7980pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
JEDEC-95 Code MS-012AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0082Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
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IRF740 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3224
IRF740 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2203
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IRF740 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 337
IRF7401 IR Spezialisierte heiße ICs 517
IRF7401 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 22357
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