IRF7458TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Active
Number of Terminations 8
Additional Feature AVALANCHE RATED
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8m Ω @ 14A, 16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V 16V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 77 ns
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 8MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 14A
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta
Rise Time 4.6ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 4 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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