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IRF7478TRPBF Technische Spezifikationen

IRF7478TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 7.7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 4.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 26MOhm
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 4.2A
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta
Rise Time 2.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 44 ns
Threshold Voltage 3V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF740 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3224
IRF740 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2203
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IRF740 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 337
IRF7401 IR Spezialisierte heiße ICs 517
IRF7401 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 22357
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